Proizvođač Broj Proizvoda:
FCP16N60N
Product Overview
Proizvođač:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Broj dijela:
FCP16N60N-DG
Opis:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 134.4W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
2766 Komada Novi Original Na Lageru
12946069
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
yOjX
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FCP16N60N Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Pakovanje
Bulk
Serija
SupreMOS™
Status proizvoda
Active
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
600 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
199mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
52.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
2170 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
134.4W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Paket uređaja dobavljača
TO-220-3
Paket / Slučaj
TO-220-3
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
Dodatne informacije
Standardni paket
93
Ostala imena
2156-FCP16N60N
FAIFSCFCP16N60N
Klasifikacija okoliša i izvoza
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
2SK2632LS-CB11
2SK2632 - 2.5A, 800V, 4.8OHM, N-
FCH077N65F-F085
MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
FCH47N60N
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
