FDMS0355S
Proizvođač Broj Proizvoda:

FDMS0355S

Product Overview

Proizvođač:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Broj dijela:

FDMS0355S-DG

Opis:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6), Power56

Inventar:

6000 Komada Novi Original Na Lageru
12946670
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

FDMS0355S Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Pakovanje
Bulk
Serija
PowerTrench®
Status proizvoda
Active
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
30 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
18A (Ta), 22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
1815 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
2.5W (Ta), 36W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket uređaja dobavljača
8-PQFN (5x6), Power56
Paket / Slučaj
8-PowerTDFN

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Podatkovne tablice
FDMS0355S Datasheet

Dodatne informacije

Standardni paket
1,110
Ostala imena
FAIFSCFDMS0355S
2156-FDMS0355S

Klasifikacija okoliša i izvoza

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
fairchild-semiconductor

FQPF7N65CYDTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

fairchild-semiconductor

FDA16N50-F109

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDA18N50

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP8N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7