Početna
Proizvodi
Proizvođači
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogovi i Postovi
Zahtev za ponudu/Citat
Bosnia
Prijavite se
Odabrani Jezik
Trenutni jezik vašeg izbora:
Bosnia
Prebaci:
Engleski
Evropa
Ujedinjena Kraljevina
Francuska
Španjolska
Turska
Moldavija
Litva
Norveška
Njemačka
Portugal
Slovačka
Ltaly
Finska
Ruski
Bugarska
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češki
Grčki
Hrvatska
Izrael
Srbija
Bjelarus
Nizozemska
Švedska
Crna Gora
Baskijski
Island
Bosna
Mađarski
Rumunjska
Austrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kina
Vijetnam
Indonezija
Tajland
Laos
Filipinski
Malezija
Koreja
Japan
Hong Kong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudijska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija i Bliski istok
Ujedinjeni Arapski Emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipat
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunis
Južna Amerika / Okeanija
Novi Zeland
Angola
Brazil
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolovija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Australija
Sjeverna Amerika
Sjedinjene Države
Haiti
Kanada
Kostarika
Meksiko
O DiGi
O nama
O nama
Naše sertifikacije
DiGi Uvod
Zašto DiGi
Politika
Politika kvaliteta
Uslovi korištenja
RoHS usklađenost
Proces povrata
Resursi
Kategorije proizvoda
Proizvođači
Blogovi i Postovi
Usluge
Garancija kvaliteta
Način Plačanja
Globalna isporuka
Cijene dostave
Česta pitanja
Proizvođač Broj Proizvoda:
BSC027N04LSGATMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Broj dijela:
BSC027N04LSGATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Detaljan opis:
N-Channel 40 V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventar:
63448 Komada Novi Original Na Lageru
12842004
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
*
Kompanija
*
Ime kontakta
*
Telefon
*
E-pošta
Adresa dostave
Poruka
u
T
g
Y
(
*
) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
BSC027N04LSGATMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serija
OptiMOS™
Status proizvoda
Active
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
40 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
24A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 49µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
6800 pF @ 20 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket uređaja dobavljača
PG-TDSON-8-1
Paket / Slučaj
8-PowerTDFN
Osnovni broj proizvoda
BSC027
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
BSC027N04LS G
Tehnički podaci
BSC027N04LSGATMA1
HTML tehnička dokumentacija
BSC027N04LSGATMA1-DG
Dodatne informacije
Standardni paket
5,000
Ostala imena
BSC027N04LS GCT
BSC027N04LSGATMA1DKR
BSC027N04LS G-DG
BSC027N04LS GTR-DG
SP000354810
BSC027N04LSGATMA1TR
BSC027N04LS GCT-DG
BSC027N04LS GDKR
BSC027N04LS G
BSC027N04LS GDKR-DG
BSC027N04LS GTR
BSC027N04LSG
BSC027N04LSGATMA1CT
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
MMBF170LT1G
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
NTMS4404NR2
MOSFET N-CH 30V 7A 8SOIC
2SK1374G0L
MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI3-F2
SI9424DY
MOSFET P-CH 20V 8A 8SOIC