Početna
Proizvodi
Proizvođači
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogovi i Postovi
Zahtev za ponudu/Citat
Bosnia
Prijavite se
Odabrani Jezik
Trenutni jezik vašeg izbora:
Bosnia
Prebaci:
Engleski
Evropa
Ujedinjena Kraljevina
Francuska
Španjolska
Turska
Moldavija
Litva
Norveška
Njemačka
Portugal
Slovačka
Ltaly
Finska
Ruski
Bugarska
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češki
Grčki
Hrvatska
Izrael
Srbija
Bjelarus
Nizozemska
Švedska
Crna Gora
Baskijski
Island
Bosna
Mađarski
Rumunjska
Austrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kina
Vijetnam
Indonezija
Tajland
Laos
Filipinski
Malezija
Koreja
Japan
Hong Kong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudijska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija i Bliski istok
Ujedinjeni Arapski Emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipat
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunis
Južna Amerika / Okeanija
Novi Zeland
Angola
Brazil
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolovija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Australija
Sjeverna Amerika
Sjedinjene Države
Haiti
Kanada
Kostarika
Meksiko
O DiGi
O nama
O nama
Naše sertifikacije
DiGi Uvod
Zašto DiGi
Politika
Politika kvaliteta
Uslovi korištenja
RoHS usklađenost
Proces povrata
Resursi
Kategorije proizvoda
Proizvođači
Blogovi i Postovi
Usluge
Garancija kvaliteta
Način Plačanja
Globalna isporuka
Cijene dostave
Česta pitanja
Proizvođač Broj Proizvoda:
BSP613PH6327XTSA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Broj dijela:
BSP613PH6327XTSA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
Detaljan opis:
P-Channel 60 V 2.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventar:
6365 Komada Novi Original Na Lageru
12824162
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
*
Kompanija
*
Ime kontakta
*
Telefon
*
E-pošta
Adresa dostave
Poruka
w
u
M
N
(
*
) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
BSP613PH6327XTSA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serija
SIPMOS®
Status proizvoda
Active
FET tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
60 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
875 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
1.8W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket uređaja dobavljača
PG-SOT223-4
Paket / Slučaj
TO-261-4, TO-261AA
Osnovni broj proizvoda
BSP613
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
BSP613P
Tehnički podaci
BSP613PH6327XTSA1
HTML tehnička dokumentacija
BSP613PH6327XTSA1-DG
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ostala imena
BSP613PH6327XTSA1TR
BSP613PH6327XTSA1CT
BSP613PH6327XTSA1DKR
SP001058788
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
SI3402-TP
MOSFET N-CHANNEL 30V 4A SOT23
SI2333-TP
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
AUIRFR3504TRL
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
BSS138W-TP
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT323