Proizvođač Broj Proizvoda:
IPB067N08N3GATMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Broj dijela:
IPB067N08N3GATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Detaljan opis:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
5515 Komada Novi Original Na Lageru
12800485
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
cDYz
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPB067N08N3GATMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serija
OptiMOS™
Status proizvoda
Active
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
80 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 73µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
3840 pF @ 40 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
136W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket uređaja dobavljača
PG-TO263-3
Paket / Slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
IPB067
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Ostala imena
IPB067N08N3G
IPB067N08N3 GDKR-DG
IPB067N08N3 GTR-DG
IPB067N08N3 GDKR
IPB067N08N3GATMA1DKR
IPB067N08N3GATMA1CT
IPB067N08N3GATMA1TR
IPB067N08N3 G-DG
SP000443636
IPB067N08N3 GCT-DG
IPB067N08N3 GCT
IPB067N08N3 G
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
IPD14N06S280ATMA2
MOSFET N-CH 55V 17A TO252-31
BSZ0902NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 21A/40A TSDSON
IPD135N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 45A TO252-3
