Proizvođač Broj Proizvoda:
IPD50N03S207ATMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Broj dijela:
IPD50N03S207ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
2500 Komada Novi Original Na Lageru
12805342
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
lRMe
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPD50N03S207ATMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serija
OptiMOS™
Status proizvoda
Active
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
30 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 85µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
136W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket uređaja dobavljača
PG-TO252-3-11
Paket / Slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovni broj proizvoda
IPD50
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
Tehnički podaci
HTML tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
IPD50N03S207ATMA1TR-DG
SP000254462
448-IPD50N03S207ATMA1DKR
INFINFIPD50N03S207ATMA1
2156-IPD50N03S207ATMA1
IPD50N03S2-07
IPD50N03S207ATMA1TR
448-IPD50N03S207ATMA1CT
IPD50N03S2-07-DG
448-IPD50N03S207ATMA1TR
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
IPZ60R099C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
IPD80R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 17A TO252
IRF150P221XKMA1
MOSFET N-CH 150V 186A TO247-3
