Proizvođač Broj Proizvoda:
IPD60R180C7ATMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Broj dijela:
IPD60R180C7ATMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventar:
2495 Komada Novi Original Na Lageru
12800465
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPD60R180C7ATMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serija
CoolMOS™ C7
Status proizvoda
Active
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
600 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 260µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
1080 pF @ 400 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
68W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket uređaja dobavljača
PG-TO252-3
Paket / Slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovni broj proizvoda
IPD60R
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
Tehnički podaci
HTML tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
448-IPD60R180C7ATMA1TR
448-IPD60R180C7ATMA1DKR
448-IPD60R180C7ATMA1CT
2156-IPD60R180C7ATMA1
IFEINFIPD60R180C7ATMA1
IPD60R180C7ATMA1-DG
SP001277630
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
IPD70N10S3L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
IPA90R800C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-FP
IPI06N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3
