Proizvođač Broj Proizvoda:
IPS060N03LGAKMA1
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Broj dijela:
IPS060N03LGAKMA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 56W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Inventar:
12804113
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
1yVm
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IPS060N03LGAKMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
-
Serija
OptiMOS™
Status proizvoda
Obsolete
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
30 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
56W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Paket uređaja dobavljača
PG-TO251-3-11
Paket / Slučaj
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
1,500
Ostala imena
IPS060N03L G
IPS060N03LGXK
IPS060N03LGIN
IFEINFIPS060N03LGAKMA1
IPS060N03LGIN-DG
SP000705724
2156-IPS060N03LGAKMA1-IT
Klasifikacija okoliša i izvoza
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
IPB029N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
IRF6633ATRPBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
IRFB4229PBF
MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
