IRF5305L

Proizvođač Broj Proizvoda:

IRF5305L

Product Overview

Proizvođač:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Broj dijela:

IRF5305L-DG

Opis:

MOSFET P-CH 55V 31A TO262

Detaljan opis:

P-Channel 55 V 31A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262

Inventar:

RFQ Online

13064093

Zatraži ponudu

Količina
Minimalno 1

(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

IRF5305L Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi

Proizvođač

Infineon Technologies

Pakovanje

-

Serija

HEXFET®

Pakovanje

Tube

Status dijela

Obsolete

FET tip

P-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odvod na izvorni napon (Vdss)

55 V

Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C

31A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

63 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds

1200 pF @ 25 V

FET karakteristika

-

Rasipanje snage (maks.)

3.8W (Ta), 110W (Tc)

Radna temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip montaže

Through Hole

Paket uređaja dobavljača

TO-262

Paket / Slučaj

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Podatkovne tablice

Tehnički podaci

HTML tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket

50

Ostala imena

*IRF5305L

Klasifikacija okoliša i izvoza

RoHS Status

RoHS non-compliant

Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

infineon-technologies

IRF7459PBF

MOSFET N-CH 20V 12A 8SO

infineon-technologies

IRF3205ZSTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

infineon-technologies

IRFI7446GPBF

MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB FP

infineon-technologies

IRF8714PBF

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO