Proizvođač Broj Proizvoda:
IRF7329TRPBF
Product Overview
Proizvođač:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Broj dijela:
IRF7329TRPBF-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Detaljan opis:
Mosfet Array 12V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
Inventar:
25277 Komada Novi Original Na Lageru
12810711
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
IRF7329TRPBF Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
Infineon Technologies
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serija
HEXFET®
Status proizvoda
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguraciju
2 P-Channel (Dual)
FET karakteristika
Logic Level Gate
Odvod na izvorni napon (Vdss)
12V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
57nC @ 4.5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
3450pF @ 10V
Snaga - Max
2W
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / Slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket uređaja dobavljača
8-SO
Osnovni broj proizvoda
IRF732
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
Tehnički podaci
HTML tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
4,000
Ostala imena
IRF7329PBFTR
Q2720362
IRF7329PBFCT
IRF7329PBFDKR
SP001566104
*IRF7329TRPBF
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
HCT802TXV
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD
IRF7303PBF
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
TC8220K6-G
MOSFET 2N/2P-CH 200V 12DFN
