APT34N80B2C3G
Proizvođač Broj Proizvoda:

APT34N80B2C3G

Product Overview

Proizvođač:

Microchip Technology

DiGi Electronics Broj dijela:

APT34N80B2C3G-DG

Opis:

MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Detaljan opis:
N-Channel 800 V 34A (Tc) 417W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Inventar:

RFQ Online
13247744
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

APT34N80B2C3G Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Microchip Technology
Pakovanje
Tube
Serija
-
Status proizvoda
Active
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
800 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
355 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
4510 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
417W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Paket uređaja dobavljača
T-MAX™ [B2]
Paket / Slučaj
TO-247-3 Variant
Osnovni broj proizvoda
APT34N80

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Podatkovne tablice
APT34N80(B2,L)C3 High-Voltage Power Discretes and Modules

Dodatne informacije

Standardni paket
30
Ostala imena
APT34N80B2C3GMI
APT34N80B2C3GMI-ND

Klasifikacija okoliša i izvoza

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
microsemi

APT17N80BC3G

MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3

microchip-technology

APT5010LVRG

MOSFET N-CH 500V 47A TO264

microchip-technology

APT8011JFLL

MOSFET N-CH 800V 51A ISOTOP

microchip-technology

APT30M36LLLG

MOSFET N-CH 300V 84A TO264