PSMN2R7-30BL,118
Proizvođač Broj Proizvoda:

PSMN2R7-30BL,118

Product Overview

Proizvođač:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Broj dijela:

PSMN2R7-30BL,118-DG

Opis:

NOW NEXPERIA PSMN2R7-30BL - 100A
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK

Inventar:

1450 Komada Novi Original Na Lageru
12947243
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

PSMN2R7-30BL,118 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
NXP Semiconductors
Pakovanje
Bulk
Serija
-
Status proizvoda
Active
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
30 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
3954 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
170W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket uređaja dobavljača
D2PAK
Paket / Slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Podatkovne tablice
PSMN2R7-30BL,118 Datasheet

Dodatne informacije

Standardni paket
384
Ostala imena
2156-PSMN2R7-30BL,118
NEXNXPPSMN2R7-30BL,118

Klasifikacija okoliša i izvoza

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
international-rectifier

IRF6795MTRPBF

IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW

nxp-semiconductors

PMPB33XP,115

NOW NEXPERIA PMPB33XP - 5.5A, 20

fairchild-semiconductor

HUFA75307T3ST

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FQPF11N50CF

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1