Proizvođač Broj Proizvoda:
FQA11N90C
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
DiGi Electronics Broj dijela:
FQA11N90C-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 11A TO3P
Detaljan opis:
N-Channel 900 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12848305
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
aoMe
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FQA11N90C Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serija
QFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
900 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
3290 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
300W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Paket uređaja dobavljača
TO-3P
Paket / Slučaj
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovni broj proizvoda
FQA1
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Ostala imena
FQA11N90CFSINACTIVE
FQA11N90CFS
FQA11N90CFS-DG
Q2658628A
Klasifikacija okoliša i izvoza
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DIJELA
STW7NK90Z
PROIZVOĐAČ
STMicroelectronics
KOLIČINA DOSTUPNA
86
BROJ DIJELA
STW7NK90Z-DG
JEDINIČNA CIJENA
1.75
TIP ZAMJENE
Similar
BROJ DIJELA
IRFPF50PBF
PROIZVOĐAČ
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
466
BROJ DIJELA
IRFPF50PBF-DG
JEDINIČNA CIJENA
3.01
TIP ZAMJENE
Similar
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
RFP4N100
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO220-3
AOI1N60L
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
FDMS86163P
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
