Početna
Proizvodi
Proizvođači
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogovi i Postovi
Zahtev za ponudu/Citat
Bosnia
Prijavite se
Odabrani Jezik
Trenutni jezik vašeg izbora:
Bosnia
Prebaci:
Engleski
Evropa
Ujedinjena Kraljevina
Francuska
Španjolska
Turska
Moldavija
Litva
Norveška
Njemačka
Portugal
Slovačka
Ltaly
Finska
Ruski
Bugarska
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češki
Grčki
Hrvatska
Izrael
Srbija
Bjelarus
Nizozemska
Švedska
Crna Gora
Baskijski
Island
Bosna
Mađarski
Rumunjska
Austrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kina
Vijetnam
Indonezija
Tajland
Laos
Filipinski
Malezija
Koreja
Japan
Hong Kong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudijska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija i Bliski istok
Ujedinjeni Arapski Emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipat
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunis
Južna Amerika / Okeanija
Novi Zeland
Angola
Brazil
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolovija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Australija
Sjeverna Amerika
Sjedinjene Države
Haiti
Kanada
Kostarika
Meksiko
O DiGi
O nama
O nama
Naše sertifikacije
DiGi Uvod
Zašto DiGi
Politika
Politika kvaliteta
Uslovi korištenja
RoHS usklađenost
Proces povrata
Resursi
Kategorije proizvoda
Proizvođači
Blogovi i Postovi
Usluge
Garancija kvaliteta
Način Plačanja
Globalna isporuka
Cijene dostave
Česta pitanja
Proizvođač Broj Proizvoda:
FQU12N20TU
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
DiGi Electronics Broj dijela:
FQU12N20TU-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Detaljan opis:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Through Hole IPAK
Inventar:
RFQ Online
12849656
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
*
Kompanija
*
Ime kontakta
*
Telefon
*
E-pošta
Adresa dostave
Poruka
2
8
s
F
(
*
) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FQU12N20TU Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serija
QFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
200 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
910 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Paket uređaja dobavljača
IPAK
Paket / Slučaj
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovni broj proizvoda
FQU12N20
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
FQD12N20, FQU12N20
Tehnički podaci
FQU12N20TU
HTML tehnička dokumentacija
FQU12N20TU-DG
Dodatne informacije
Standardni paket
5,040
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
FQI1P50TU
MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK
MTP50P03HDLG
MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB
AOB4184
MOSFET N-CH 40V 12A/50A TO263
FQAF44N08
MOSFET N-CH 80V 35.6A TO3PF