NTD2955-1G

Proizvođač Broj Proizvoda:

NTD2955-1G

Product Overview

Proizvođač:

onsemi

DiGi Electronics Broj dijela:

NTD2955-1G-DG

Opis:

MOSFET P-CH 60V 12A IPAK

Detaljan opis:

P-Channel 60 V 12A (Ta) 55W (Tj) Through Hole IPAK

Inventar:

RFQ Online

12857823

Zatraži ponudu

Količina
Minimalno 1

1Q0M

(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

NTD2955-1G Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi

Proizvođač

onsemi

Pakovanje

-

Serija

-

Status proizvoda

Obsolete

FET tip

P-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odvod na izvorni napon (Vdss)

60 V

Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C

12A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds

750 pF @ 25 V

FET karakteristika

-

Rasipanje snage (maks.)

55W (Tj)

Radna temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip montaže

Through Hole

Paket uređaja dobavljača

IPAK

Paket / Slučaj

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Osnovni broj proizvoda

NTD2955

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Podatkovne tablice

Tehnički podaci

HTML tehnička dokumentacija

Dodatne informacije

Standardni paket

75

Ostala imena

ONSONSNTD2955-1G

NTD2955-1G-DG

NTD2955-1GOS

NTD29551G

2156-NTD2955-1G-OS

Klasifikacija okoliša i izvoza

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

microchip-technology

VN2460N3-G

MOSFET N-CH 600V 160MA TO92-3

onsemi

NTMFS5C410NLTWFT1G

MOSFET N-CH 40V 50A/330A 5DFN

UPA2822T1L-E1-AT

MOSFET N-CH 30V 34A 8HWSON

renesas-electronics-america

HAT2279H-EL-E

MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK