R6009JNJGTL

Proizvođač Broj Proizvoda:

R6009JNJGTL

Product Overview

Proizvođač:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Broj dijela:

R6009JNJGTL-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 9A LPTS

Detaljan opis:

N-Channel 600 V 9A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount LPTS

Inventar:

1000 Komada Novi Original Na Lageru

13526555

Zatraži ponudu

Količina
Minimalno 1

MdDd

(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

R6009JNJGTL Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi

Proizvođač

ROHM Semiconductor

Pakovanje

Tape & Reel (TR)

Serija

-

Status proizvoda

Active

FET tip

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odvod na izvorni napon (Vdss)

600 V

Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C

9A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

15V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

585mOhm @ 4.5A, 15V

Vgs(th) (Max) @ Id

7V @ 1.38mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22 nC @ 15 V

Vgs (Max)

±30V

Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds

645 pF @ 100 V

FET karakteristika

-

Rasipanje snage (maks.)

125W (Tc)

Radna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip montaže

Surface Mount

Paket uređaja dobavljača

LPTS

Paket / Slučaj

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Osnovni broj proizvoda

R6009

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Podatkovne tablice

Dodatne informacije

Standardni paket

1,000

Ostala imena

R6009JNJGTLCT

R6009JNJGTLDKR

R6009JNJGTLTR

Klasifikacija okoliša i izvoza

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

rohm-semi

RQ3E180GNTB

MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT

rohm-semi

RD3G500GNTL

MOSFET N-CH 40V 50A TO252

rohm-semi

RXH125N03TB1

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP

rohm-semi

R6025ANZC8

MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF