Proizvođač Broj Proizvoda:
SH8KE7TB1
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Broj dijela:
SH8KE7TB1-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 100V 8A 8SOP
Detaljan opis:
Mosfet Array 100V 8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Inventar:
2500 Komada Novi Original Na Lageru
12953603
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
kWtA
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SH8KE7TB1 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serija
-
Status proizvoda
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguraciju
2 N-Channel
FET karakteristika
Standard
Odvod na izvorni napon (Vdss)
100V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20.9mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19.8nC @ 10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 50V
Snaga - Max
2W (Ta)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / Slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket uređaja dobavljača
8-SOP
Osnovni broj proizvoda
SH8KE7
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
846-SH8KE7TB1CT
846-SH8KE7TB1TR
846-SH8KE7TB1DKR
Klasifikacija okoliša i izvoza
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
SQ4946CEY-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 7A 8SOIC
SI7234DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO8
SI4532ADY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8SOIC
