Proizvođač Broj Proizvoda:
US6M2GTR
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Broj dijela:
US6M2GTR-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
Detaljan opis:
Mosfet Array 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6
Inventar:
13526172
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
US6M2GTR Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serija
-
Status proizvoda
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguraciju
N and P-Channel
FET karakteristika
-
Odvod na izvorni napon (Vdss)
30V, 20V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
1.5A, 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
80pF @ 10V, 150pF @ 10V
Snaga - Max
1W
Radna temperatura
150°C
Tip montaže
Surface Mount
Paket / Slučaj
6-SMD, Flat Leads
Paket uređaja dobavljača
TUMT6
Osnovni broj proizvoda
US6M2
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
US6M2GDKR
US6M2GCT
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
QS8M13TCR
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
SP8K3FU6TB
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
QH8MA2TCR
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8