Proizvođač Broj Proizvoda:
2N6661
Product Overview
Proizvođač:
Solid State Inc.
DiGi Electronics Broj dijela:
2N6661-DG
Opis:
MOSFET N-CH 90V 900MA TO39
Detaljan opis:
N-Channel 90 V 900mA (Tc) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventar:
6694 Komada Novi Original Na Lageru
12971657
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
hckF
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
2N6661 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Manufacturers
Pakovanje
Box
Serija
-
Status proizvoda
Active
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
90 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
900mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±40V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
Rasipanje snage (maks.)
6.25W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Paket uređaja dobavljača
TO-39
Paket / Slučaj
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
Dodatne informacije
Standardni paket
10
Ostala imena
2383-2N6661
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
APT14M120S
MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK
PJL9434A_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD4NA65_L2_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
