SCT30N120D2
Proizvođač Broj Proizvoda:

SCT30N120D2

Product Overview

Proizvođač:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Broj dijela:

SCT30N120D2-DG

Opis:

SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Detaljan opis:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™

Inventar:

12875915
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
num_del num_add
*
*
*
*
J9Wv
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

SCT30N120D2 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
STMicroelectronics
Pakovanje
-
Serija
-
Status proizvoda
Active
FET tip
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
1200 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
1700 pF @ 400 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
270W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Paket uređaja dobavljača
HiP247™
Paket / Slučaj
TO-247-3
Osnovni broj proizvoda
SCT30

Dodatne informacije

Standardni paket
490

Klasifikacija okoliša i izvoza

REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
stmicroelectronics

STP18N60M6

MOSFET N-CH 600V 13A TO220

stmicroelectronics

STI32N65M5

MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK

stmicroelectronics

STH52N10LF3-2AG

MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2

stmicroelectronics

STU6N60DM2

MOSFET N-CH 600V 5A IPAK