Proizvođač Broj Proizvoda:
RN1104MFV,L3F(CT
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Broj dijela:
RN1104MFV,L3F(CT-DG
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM
Inventar:
23852 Komada Novi Original Na Lageru
12889798
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
8aQ4
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RN1104MFV,L3F(CT Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolar (BJT), Jednostruki, Pre-biasirani Bipolarni Tranzistori
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serija
-
Status proizvoda
Active
Tip tranzistora
NPN - Pre-Biased
Struja - Kolektor (Ic) (Maks)
100 mA
Napon - proboj kolektora (maks.)
50 V
Otpornik - baza (R1)
47 kOhms
Otpornik - baza emitera (R2)
47 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 5mA
Struja - prekid kolektora (maks.)
500nA
Snaga - Max
150 mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / Slučaj
SOT-723
Paket uređaja dobavljača
VESM
Osnovni broj proizvoda
RN1104
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
Dodatne informacije
Standardni paket
8,000
Ostala imena
RN1104MFVL3F(CTDKR
RN1104MFV,L3F(CB
RN1104MFVL3F(CTCT
RN1104MFVL3F(CTTR
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
RN1106,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1113MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN2309(TE85L,F)
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70