Proizvođač Broj Proizvoda:
RN1706,LF
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Broj dijela:
RN1706,LF-DG
Opis:
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount USV
Inventar:
6587 Komada Novi Original Na Lageru
12889410
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
a746
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RN1706,LF Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolar (BJT), Bipolarni tranzistori u nizu, prethodno biasirani
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serija
-
Status proizvoda
Active
Tip tranzistora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Struja - Kolektor (Ic) (Maks)
100mA
Napon - proboj kolektora (maks.)
50V
Otpornik - baza (R1)
4.7kOhms
Otpornik - baza emitera (R2)
47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - prekid kolektora (maks.)
500nA
Frekvencija - Tranzicija
250MHz
Snaga - Max
200mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / Slučaj
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Paket uređaja dobavljača
USV
Osnovni broj proizvoda
RN1706
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
RN1706,LF(B
RN1706LFTR
RN1706LFDKR
RN1706LFCT
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
RN2911FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4984FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4989(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6