Proizvođač Broj Proizvoda:
RN1909,LF(CT
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Broj dijela:
RN1909,LF(CT-DG
Opis:
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Inventar:
2392 Komada Novi Original Na Lageru
12889367
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
Ao9u
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RN1909,LF(CT Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolar (BJT), Bipolarni tranzistori u nizu, prethodno biasirani
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serija
-
Status proizvoda
Active
Tip tranzistora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Struja - Kolektor (Ic) (Maks)
100mA
Napon - proboj kolektora (maks.)
50V
Otpornik - baza (R1)
47kOhms
Otpornik - baza emitera (R2)
22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - prekid kolektora (maks.)
500nA
Frekvencija - Tranzicija
250MHz
Snaga - Max
200mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / Slučaj
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket uređaja dobavljača
US6
Osnovni broj proizvoda
RN1909
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
RN1909LF(CTTR
RN1909LF(CTCT-DG
RN1909LF(CTDKR
RN1909LF(CTCT
264-RN1909,LF(CTTR
264-RN1909,LF(CT
RN1909LF(CTDKR-DG
264-RN1909,LF(CTDKR
RN1909LF(CTTR-DG
RN1909,LF(CB
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
RN2703JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN1701JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
DDC144TU-7
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
