Proizvođač Broj Proizvoda:
RN1964FE(TE85L,F)
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Broj dijela:
RN1964FE(TE85L,F)-DG
Opis:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventar:
3870 Komada Novi Original Na Lageru
12891430
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
49in
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RN1964FE(TE85L,F) Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolar (BJT), Bipolarni tranzistori u nizu, prethodno biasirani
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serija
-
Status proizvoda
Obsolete
Tip tranzistora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Struja - Kolektor (Ic) (Maks)
100mA
Napon - proboj kolektora (maks.)
50V
Otpornik - baza (R1)
47kOhms
Otpornik - baza emitera (R2)
47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - prekid kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvencija - Tranzicija
250MHz
Snaga - Max
100mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / Slučaj
SOT-563, SOT-666
Paket uređaja dobavljača
ES6
Osnovni broj proizvoda
RN1964
Dodatne informacije
Standardni paket
4,000
Ostala imena
RN1964FE(TE85LF)CT
RN1964FE(TE85LF)DKR
RN1964FE(TE85LF)TR
RN1964FETE85LF
Klasifikacija okoliša i izvoza
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
BROJ DIJELA
RN1104MFV,L3F
PROIZVOĐAČ
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA DOSTUPNA
7999
BROJ DIJELA
RN1104MFV,L3F-DG
JEDINIČNA CIJENA
0.01
TIP ZAMJENE
Similar
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
RN49A2,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
RN1705JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
RN1963FE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
