RN2704JE(TE85L,F)
Proizvođač Broj Proizvoda:

RN2704JE(TE85L,F)

Product Overview

Proizvođač:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Broj dijela:

RN2704JE(TE85L,F)-DG

Opis:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV

Inventar:

3890 Komada Novi Original Na Lageru
12890581
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
num_del num_add
*
*
*
*
JFaH
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

RN2704JE(TE85L,F) Tehničke specifikacije

Kategorija
Bipolar (BJT), Bipolarni tranzistori u nizu, prethodno biasirani
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serija
-
Status proizvoda
Active
Tip tranzistora
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Struja - Kolektor (Ic) (Maks)
100mA
Napon - proboj kolektora (maks.)
50V
Otpornik - baza (R1)
47kOhms
Otpornik - baza emitera (R2)
47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - prekid kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvencija - Tranzicija
200MHz
Snaga - Max
100mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / Slučaj
SOT-553
Paket uređaja dobavljača
ESV
Osnovni broj proizvoda
RN2704

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Podatkovne tablice

Dodatne informacije

Standardni paket
4,000
Ostala imena
RN2704JE(TE85LF)CT
RN2704JE(TE85LF)DKR
RN2704JE(TE85LF)TR

Klasifikacija okoliša i izvoza

RoHS Status
RoHS Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1901,LF(CT

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2605(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2701,LF

PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1907,LF(CT

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6