Proizvođač Broj Proizvoda:
RN2967FE(TE85L,F)
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Broj dijela:
RN2967FE(TE85L,F)-DG
Opis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventar:
12889280
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
fSAL
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RN2967FE(TE85L,F) Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolar (BJT), Bipolarni tranzistori u nizu, prethodno biasirani
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
-
Serija
-
Status proizvoda
Obsolete
Tip tranzistora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Struja - Kolektor (Ic) (Maks)
100mA
Napon - proboj kolektora (maks.)
50V
Otpornik - baza (R1)
10kOhms
Otpornik - baza emitera (R2)
47kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - prekid kolektora (maks.)
100nA (ICBO)
Frekvencija - Tranzicija
200MHz
Snaga - Max
100mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / Slučaj
SOT-563, SOT-666
Paket uređaja dobavljača
ES6
Osnovni broj proizvoda
RN2967
Dodatne informacije
Standardni paket
4,000
Ostala imena
RN2967FE(TE85LF)CT
RN2967FE(TE85LF)TR
RN2967FE(TE85LF)DKR
Klasifikacija okoliša i izvoza
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
BROJ DIJELA
NSBA114YDXV6T1G
PROIZVOĐAČ
onsemi
KOLIČINA DOSTUPNA
3990
BROJ DIJELA
NSBA114YDXV6T1G-DG
JEDINIČNA CIJENA
0.05
TIP ZAMJENE
Similar
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
RN2604(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN2907FE,LF(CT
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4907(T5L,F,T)
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
