Početna
Proizvodi
Proizvođači
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogovi i Postovi
Zahtev za ponudu/Citat
Bosnia
Prijavite se
Odabrani Jezik
Trenutni jezik vašeg izbora:
Bosnia
Prebaci:
Engleski
Evropa
Ujedinjena Kraljevina
Francuska
Španjolska
Turska
Moldavija
Litva
Norveška
Njemačka
Portugal
Slovačka
Ltaly
Finska
Ruski
Bugarska
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češki
Grčki
Hrvatska
Izrael
Srbija
Bjelarus
Nizozemska
Švedska
Crna Gora
Baskijski
Island
Bosna
Mađarski
Rumunjska
Austrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kina
Vijetnam
Indonezija
Tajland
Laos
Filipinski
Malezija
Koreja
Japan
Hong Kong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudijska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija i Bliski istok
Ujedinjeni Arapski Emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipat
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunis
Južna Amerika / Okeanija
Novi Zeland
Angola
Brazil
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolovija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Australija
Sjeverna Amerika
Sjedinjene Države
Haiti
Kanada
Kostarika
Meksiko
O DiGi
O nama
O nama
Naše sertifikacije
DiGi Uvod
Zašto DiGi
Politika
Politika kvaliteta
Uslovi korištenja
RoHS usklađenost
Proces povrata
Resursi
Kategorije proizvoda
Proizvođači
Blogovi i Postovi
Usluge
Garancija kvaliteta
Način Plačanja
Globalna isporuka
Cijene dostave
Česta pitanja
Proizvođač Broj Proizvoda:
TK10E60W,S1VX
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Broj dijela:
TK10E60W,S1VX-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
30 Komada Novi Original Na Lageru
12890763
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
*
Kompanija
*
Ime kontakta
*
Telefon
*
E-pošta
Adresa dostave
Poruka
0
h
Q
d
(
*
) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TK10E60W,S1VX Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tube
Serija
DTMOSIV
Status proizvoda
Active
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
600 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
9.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
700 pF @ 300 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
100W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Paket uređaja dobavljača
TO-220
Paket / Slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
TK10E60
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
TK10E60W
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
TK10E60W,S1VX(S
TK10E60WS1VX
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DIJELA
IXFP12N65X2
PROIZVOĐAČ
IXYS
KOLIČINA DOSTUPNA
290
BROJ DIJELA
IXFP12N65X2-DG
JEDINIČNA CIJENA
1.73
TIP ZAMJENE
Similar
BROJ DIJELA
FCPF11N60
PROIZVOĐAČ
Fairchild Semiconductor
KOLIČINA DOSTUPNA
461
BROJ DIJELA
FCPF11N60-DG
JEDINIČNA CIJENA
1.58
TIP ZAMJENE
Similar
BROJ DIJELA
STP15N80K5
PROIZVOĐAČ
STMicroelectronics
KOLIČINA DOSTUPNA
600
BROJ DIJELA
STP15N80K5-DG
JEDINIČNA CIJENA
2.03
TIP ZAMJENE
Similar
BROJ DIJELA
FCP380N60E
PROIZVOĐAČ
Fairchild Semiconductor
KOLIČINA DOSTUPNA
25616
BROJ DIJELA
FCP380N60E-DG
JEDINIČNA CIJENA
1.30
TIP ZAMJENE
Similar
BROJ DIJELA
STP13NM60N
PROIZVOĐAČ
STMicroelectronics
KOLIČINA DOSTUPNA
649
BROJ DIJELA
STP13NM60N-DG
JEDINIČNA CIJENA
2.01
TIP ZAMJENE
Similar
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
TPH1110ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
SSM3J133TU,LF
MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
TK16E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220
TK100S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK