Početna
Proizvodi
Proizvođači
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogovi i Postovi
Zahtev za ponudu/Citat
Bosnia
Prijavite se
Odabrani Jezik
Trenutni jezik vašeg izbora:
Bosnia
Prebaci:
Engleski
Evropa
Ujedinjena Kraljevina
Francuska
Španjolska
Turska
Moldavija
Litva
Norveška
Njemačka
Portugal
Slovačka
Ltaly
Finska
Ruski
Bugarska
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češki
Grčki
Hrvatska
Izrael
Srbija
Bjelarus
Nizozemska
Švedska
Crna Gora
Baskijski
Island
Bosna
Mađarski
Rumunjska
Austrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kina
Vijetnam
Indonezija
Tajland
Laos
Filipinski
Malezija
Koreja
Japan
Hong Kong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudijska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija i Bliski istok
Ujedinjeni Arapski Emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipat
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunis
Južna Amerika / Okeanija
Novi Zeland
Angola
Brazil
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolovija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Australija
Sjeverna Amerika
Sjedinjene Države
Haiti
Kanada
Kostarika
Meksiko
O DiGi
O nama
O nama
Naše sertifikacije
DiGi Uvod
Zašto DiGi
Politika
Politika kvaliteta
Uslovi korištenja
RoHS usklađenost
Proces povrata
Resursi
Kategorije proizvoda
Proizvođači
Blogovi i Postovi
Usluge
Garancija kvaliteta
Način Plačanja
Globalna isporuka
Cijene dostave
Česta pitanja
Proizvođač Broj Proizvoda:
TK290A65Y,S4X
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Broj dijela:
TK290A65Y,S4X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 11.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
RFQ Online
12889324
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
*
Kompanija
*
Ime kontakta
*
Telefon
*
E-pošta
Adresa dostave
Poruka
B
G
d
7
(
*
) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TK290A65Y,S4X Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tube
Serija
DTMOSV
Status proizvoda
Active
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
650 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
290mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 450µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
730 pF @ 300 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
35W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Paket uređaja dobavljača
TO-220SIS
Paket / Slučaj
TO-220-3 Full Pack
Osnovni broj proizvoda
TK290A65
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
TK290A65Y
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
TK290A65YS4X(S
TK290A65YS4X
TK290A65Y,S4X(S
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DIJELA
IPA80R280P7XKSA1
PROIZVOĐAČ
Infineon Technologies
KOLIČINA DOSTUPNA
486
BROJ DIJELA
IPA80R280P7XKSA1-DG
JEDINIČNA CIJENA
1.32
TIP ZAMJENE
Similar
BROJ DIJELA
IPA60R230P6XKSA1
PROIZVOĐAČ
Infineon Technologies
KOLIČINA DOSTUPNA
77
BROJ DIJELA
IPA60R230P6XKSA1-DG
JEDINIČNA CIJENA
1.13
TIP ZAMJENE
Similar
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
TK100E10N1,S1X
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
SSM6P16FE(TE85L,F)
MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
TK6P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK