Proizvođač Broj Proizvoda:
TK39J60W,S1VQ
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Broj dijela:
TK39J60W,S1VQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventar:
22 Komada Novi Original Na Lageru
12890771
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
LrDW
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TK39J60W,S1VQ Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tube
Serija
DTMOSIV
Status proizvoda
Active
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
600 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
38.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.9mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 300 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
270W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Paket uređaja dobavljača
TO-3P(N)
Paket / Slučaj
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovni broj proizvoda
TK39J60
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
Dodatne informacije
Standardni paket
25
Ostala imena
TK39J60WS1VQ
TK39J60W,S1VQ(O
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DIJELA
FCA47N60-F109
PROIZVOĐAČ
onsemi
KOLIČINA DOSTUPNA
455
BROJ DIJELA
FCA47N60-F109-DG
JEDINIČNA CIJENA
6.12
TIP ZAMJENE
Similar
BROJ DIJELA
FCA47N60
PROIZVOĐAČ
onsemi
KOLIČINA DOSTUPNA
849
BROJ DIJELA
FCA47N60-DG
JEDINIČNA CIJENA
6.35
TIP ZAMJENE
Similar
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
TPH1R403NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
TK15S04N1L,LQ
MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
TK10A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS