Proizvođač Broj Proizvoda:
TK3A65DA(STA4,QM)
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Broj dijela:
TK3A65DA(STA4,QM)-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 2.5A TO220SIS
Detaljan opis:
N-Channel 650 V 2.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventar:
12890578
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
3Ffr
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TK3A65DA(STA4,QM) Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tube
Serija
π-MOSVII
Status proizvoda
Active
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
650 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.51Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
490 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
35W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Paket uređaja dobavljača
TO-220SIS
Paket / Slučaj
TO-220-3 Full Pack
Osnovni broj proizvoda
TK3A65
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
TK3A65DA(STA4QM)
TK3A65DASTA4QM
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
TPN6R303NC,LQ
MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
TPCA8026(TE12L,Q,M
MOSFET N-CH 30V 45A 8SOP
TK13A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 13A TO220SIS
