Proizvođač Broj Proizvoda:
TK72E12N1,S1X
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Broj dijela:
TK72E12N1,S1X-DG
Opis:
MOSFET N CH 120V 72A TO-220
Detaljan opis:
N-Channel 120 V 72A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventar:
22 Komada Novi Original Na Lageru
12890935
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
RBjo
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TK72E12N1,S1X Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tube
Serija
U-MOSVIII-H
Status proizvoda
Active
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
120 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
72A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
8100 pF @ 60 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
255W (Tc)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Paket uređaja dobavljača
TO-220-3
Paket / Slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
TK72E12
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
TK72E12N1S1X
TK72E12N1,S1X(S
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
TPCC8093,L1Q
MOSFET N-CH 20V 21A 8TSON
TK9A90E,S4X
MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS
TPH1400ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
