Proizvođač Broj Proizvoda:
TPCF8B01(TE85L,F,M
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Broj dijela:
TPCF8B01(TE85L,F,M-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Detaljan opis:
P-Channel 20 V 2.7A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Inventar:
12890298
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
2JEK
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TPCF8B01(TE85L,F,M Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
-
Serija
U-MOSIII
Status proizvoda
Obsolete
FET tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
20 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±8V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 10 V
FET karakteristika
Schottky Diode (Isolated)
Rasipanje snage (maks.)
330mW (Ta)
Radna temperatura
150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket uređaja dobavljača
VS-8 (2.9x1.5)
Paket / Slučaj
8-SMD, Flat Lead
Osnovni broj proizvoda
TPCF8B01
Dodatne informacije
Standardni paket
4,000
Ostala imena
TPCF8B01(TE85LFMDRK
TPCF8B01FDKR-DG
TPCF8B01(TE85L,F,M-DG
TPCF8B01FDKR
TPCF8B01(TE85LFMCT
TPCF8B01(TE85L,F)
TPCF8B01FTR
TPCF8B01(TE85LFMDRK-DG
TPCF8B01(TE85LFMDKR
TPCF8B01TE85LFM
TPCF8B01(TE85L,F,MINACTIVE
TPCF8B01(TE85LFMTR
TPCF8B01(TE85L,F)-DG
TPCF8B01FCT
TPCF8B01FTR-DG
TPCF8B01FCT-DG
Klasifikacija okoliša i izvoza
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
TPCA8A04-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP
TK5A65W,S5X
MOSFET N-CH 650V 5.2A TO220SIS
TK35N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
