Proizvođač Broj Proizvoda:
SIHD14N60ET5-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Broj dijela:
SIHD14N60ET5-GE3-DG
Opis:
N-CHANNEL 600V
Detaljan opis:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
2996 Komada Novi Original Na Lageru
12977849
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
HT9N
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIHD14N60ET5-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serija
E
Status proizvoda
Active
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
600 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
309mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
1205 pF @ 100 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
147W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket uređaja dobavljača
DPAK
Paket / Slučaj
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
742-SIHD14N60ET5-GE3CT
742-SIHD14N60ET5-GE3TR
742-SIHD14N60ET5-GE3DKR
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DIJELA
SIHD14N60ET4-GE3
PROIZVOĐAČ
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
2960
BROJ DIJELA
SIHD14N60ET4-GE3-DG
JEDINIČNA CIJENA
0.85
TIP ZAMJENE
Parametric Equivalent
BROJ DIJELA
SIHD14N60ET1-GE3
PROIZVOĐAČ
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
1644
BROJ DIJELA
SIHD14N60ET1-GE3-DG
JEDINIČNA CIJENA
0.87
TIP ZAMJENE
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
SQJ850EP-T2_GE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SIHP15N50E-BE3
N-CHANNEL 500V
SI2366DS-T1-BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET