Proizvođač Broj Proizvoda:
SIRA00DP-T1-RE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Broj dijela:
SIRA00DP-T1-RE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Detaljan opis:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
12961276
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIRA00DP-T1-RE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serija
TrenchFET®
Status proizvoda
Active
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
30 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+20V, -16V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
11700 pF @ 15 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
104W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket uređaja dobavljača
PowerPAK® SO-8
Paket / Slučaj
PowerPAK® SO-8
Osnovni broj proizvoda
SIRA00
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
Tehnički podaci
HTML tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Klasifikacija okoliša i izvoza
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
SIA485DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
SUD25N15-52-E3
MOSFET N-CH 150V 25A TO252
SI7440DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
