Proizvođač Broj Proizvoda:
SQ2318BES-T1_GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Broj dijela:
SQ2318BES-T1_GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Detaljan opis:
N-Channel 40 V 8A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
3123 Komada Novi Original Na Lageru
12945160
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SQ2318BES-T1_GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serija
TrenchFET®
Status proizvoda
Discontinued at Digi-Key
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
40 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26.3mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
3W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razredu
Automotive
Kvalifikacije
AEC-Q101
Tip montaže
Surface Mount
Paket uređaja dobavljača
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Slučaj
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovni broj proizvoda
SQ2318
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
742-SQ2318BES-T1_GE3DKR
742-SQ2318BES-T1_GE3TR
742-SQ2318BES-T1_GE3CT
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DIJELA
SQ2318AES-T1_GE3
PROIZVOĐAČ
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
30231
BROJ DIJELA
SQ2318AES-T1_GE3-DG
JEDINIČNA CIJENA
0.16
TIP ZAMJENE
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
SIDR626LDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 45.6A/2.4A PPAK
SIR882BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 16.5/67.5A PPAK
FDC637ANNB5E023A
MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
