SQJ407EP-T1_BE3

Proizvođač Broj Proizvoda:

SQJ407EP-T1_BE3

Product Overview

Proizvođač:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Broj dijela:

SQJ407EP-T1_BE3-DG

Opis:

P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET

Detaljan opis:

P-Channel 30 V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

5950 Komada Novi Original Na Lageru

12977821

Zatraži ponudu

Količina
Minimalno 1

(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata

POŠALJI

SQJ407EP-T1_BE3 Tehničke specifikacije

Kategorija

FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi

Proizvođač

Vishay

Pakovanje

Tape & Reel (TR)

Serija

TrenchFET®

Status proizvoda

Active

FET tip

P-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odvod na izvorni napon (Vdss)

30 V

Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C

60A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

260 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds

10700 pF @ 25 V

FET karakteristika

-

Rasipanje snage (maks.)

68W (Tc)

Radna temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Razredu

Automotive

Kvalifikacije

AEC-Q101

Tip montaže

Surface Mount

Paket uređaja dobavljača

PowerPAK® SO-8

Paket / Slučaj

PowerPAK® SO-8

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Podatkovne tablice

Dodatne informacije

Standardni paket

3,000

Ostala imena

742-SQJ407EP-T1_BE3CT

742-SQJ407EP-T1_BE3TR

Klasifikacija okoliša i izvoza

Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Povezani proizvodi

vishay-siliconix

SQJ461EP-T2_GE3

P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

vishay-siliconix

SI3459BDV-T1-BE3

P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SIHA25N60EFL-GE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

SI2371EDS-T1-BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET