Proizvođač Broj Proizvoda:
TC6320K6-G
Product Overview
Proizvođač:
Microchip Technology
DiGi Electronics Broj dijela:
TC6320K6-G-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 200V 8DFN
Detaljan opis:
Mosfet Array 200V Surface Mount 8-DFN (4x4)
Inventar:
5313 Komada Novi Original Na Lageru
12810685
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
TC6320K6-G Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, FET, MOSFET nizovi
Proizvođač
Microchip Technology
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serija
-
Status proizvoda
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguraciju
N and P-Channel
FET karakteristika
-
Odvod na izvorni napon (Vdss)
200V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 25V, 125pF @ 25V
Snaga - Max
-
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Paket / Slučaj
8-VDFN Exposed Pad
Paket uređaja dobavljača
8-DFN (4x4)
Osnovni broj proizvoda
TC6320
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
PCN Assembly/Origin
Dodatne informacije
Standardni paket
3,300
Ostala imena
TC6320K6-G-DG
TC6320K6-GCT
TC6320K6-GTR
TC6320K6-GDKR
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
IRF7329TRPBF
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
HCT802TXV
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A 6SMD
IRF7303PBF
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
