Proizvođač Broj Proizvoda:
RN1116,LF(CT
Product Overview
Proizvođač:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Broj dijela:
RN1116,LF(CT-DG
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventar:
6170 Komada Novi Original Na Lageru
12889789
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
PFQa
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
RN1116,LF(CT Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolar (BJT), Jednostruki, Pre-biasirani Bipolarni Tranzistori
Proizvođač
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serija
-
Status proizvoda
Active
Tip tranzistora
NPN - Pre-Biased
Struja - Kolektor (Ic) (Maks)
100 mA
Napon - proboj kolektora (maks.)
50 V
Otpornik - baza (R1)
4.7 kOhms
Otpornik - baza emitera (R2)
10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - prekid kolektora (maks.)
500nA
Frekvencija - Tranzicija
250 MHz
Snaga - Max
100 mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / Slučaj
SC-75, SOT-416
Paket uređaja dobavljača
SSM
Osnovni broj proizvoda
RN1116
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Podatkovne tablice
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
RN1116LF(CTCT
RN1116LF(CTTR
RN1116,LF(CB
RN1116LF(CTDKR
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
RN1104MFV,L3F(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RN1106,LF(CT
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN1113MFV,L3F
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
