Proizvođač Broj Proizvoda:
2N6661JTXP02
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Broj dijela:
2N6661JTXP02-DG
Opis:
MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Detaljan opis:
N-Channel 90 V 860mA (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Inventar:
13050300
Zatraži ponudu
Količina
Minimalno 1
Minimalno 1
cpKP
(*) je obavezno
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
Javit ćemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
2N6661JTXP02 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
-
Serija
-
Pakovanje
Tube
Status dijela
Obsolete
FET tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod na izvorni napon (Vdss)
90 V
Struja - kontinuirani odvod (id) @ 25°C
860mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks.)
725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Paket uređaja dobavljača
TO-39
Paket / Slučaj
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Osnovni broj proizvoda
2N6661
Dodatne informacije
Standardni paket
20
Klasifikacija okoliša i izvoza
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nivo osjetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DIJELA
2N6661
PROIZVOĐAČ
Solid State Inc.
KOLIČINA DOSTUPNA
6694
BROJ DIJELA
2N6661-DG
JEDINIČNA CIJENA
4.60
TIP ZAMJENE
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Povezani proizvodi
IRF610STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
IRF840SPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
IRF540STRRPBF
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK